IT之家 8 月 12 日消息，美光首席商务官 (CBO) Sumit Sadana 在出席美国当地时间昨日举行的 2025 年 Keybanc 技术大会时表示，定制 HBM 内存将在 HBM4 后的 HBM4E 时代正式落地。
Sumit Sadana 提到，从 HBM4 开始 HBM4 内存基础芯片 Base Die 采用逻辑 CMOS 制程，现阶段该芯片主要包含内存接口 IP；而在 HBM4E 世代一些客户希望将 AI xPU 的特定功能电路卸载到 HBM 的 Base Die 中，提升 xPU 的芯片面积利用率，而这就诞生了所谓的“定制 HBM 内存”。
这一转变意味着 HBM 内存不再仅是 AI xPU 的片外缓存拓展，亦是 xPU 逻辑功能的组成部分，定制 HBM 内存无法与 JEDEC 标准 HBM 直接兼容。
另一方面，HBM 基础芯片的定制过程非常昂贵，因此除了英伟达这样的 AI 芯片霸主外大多数 xPU 企业没有足够资源就单个芯片与
